metal gate半導體
2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流,使32nm以下大型積體 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之半導體元件及其製作方法,尤指一種實施後閘極...
Why PolySi to HKMG
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2023年6月11日—因為本質是半導體,在小尺寸下,閘極會有空乏層,包含有三大問題...閘極氧化層SiO2dryoxide換成High-K,Polygate換成metalgate。涉及 ...
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